TANK007帶你進入強（qiáng）光手電之發光體的世界

led強光手電筒的發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷（lín）砷化镓）等半導體製成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正向導通，反向（xiàng）截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特（tè）性（xìng）。在（zài）正向電（diàn）壓下，電子（zǐ）由N區（qū）注入P區（qū），空穴（xué）由P區注入N區。進入對方區域的少數載（zǎi）流子（少子）一部分與多數（shù）載流子（zǐ）（多子）複合而發（fā）光。

假設發光是在P區中發生的（de），那麽（me）注入的電子與價帶（dài）空穴直接複合而發（fā）光，或者先被發光中心捕獲後，再與空穴複合發光。除了這種發光複合外，還有些電子被非發光中心（這個中心介於導（dǎo）帶、介帶中間附（fù）近）捕（bǔ）獲，而後再與空穴複合，每次（cì）釋放的能量不大（dà），不能形成可見光。發光的（de）複合量相對於非發光複合量的比例越大，光（guāng）量子效率越高。由於複合是在少子擴散區內（nèi）發光的，所以光（guāng）僅在靠近PN結麵數μm以內產生。

理（lǐ）論和實（shí）踐證明，光的峰值波長λ與（yǔ）發光區域的半導（dǎo）體材料禁帶寬度（dù）Eg有關，即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產（chǎn）生可見光（波（bō）長在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應（yīng）在（zài）3.26～1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及（jí）藍光發光二極管，但其中藍光二極管成本、價格很高，使（shǐ）用不普遍。

如下是放大了數倍以後的外（wài）形對（duì）比圖片。

tank007的燈珠