LED芯片的製造流程是什麽樣的？芯片技術的發展主流是什麽？

LED芯片製（zhì）造主要是為了製造有效（xiào）可靠的低歐姆接觸電極，並能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊（diàn），同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其（qí）主要在1.33×10?4Pa高真空下，用電阻加熱（rè）或電子束（shù）轟擊加（jiā）熱方法（fǎ）使材料熔化（huà），並在低氣壓（yā）下變成金屬蒸氣（qì）沉（chén）積在半（bàn）導（dǎo）體材料表（biǎo）麵。一般所（suǒ）用的P型接觸金（jīn）屬包（bāo）括AuBe、AuZn等合（hé）金，N麵的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜後形（xíng）成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區盡可能多地露出（chū）來，使留下來的合金層（céng）能滿足有效可靠的低歐姆接（jiē）觸電極及（jí）焊線壓墊的要求。光刻工序結束後還要（yào）通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護下（xià）進行（háng）。合金化的時間和溫度通常（cháng）是根（gēn）據半（bàn）導體材料特性與合金爐形式等因素決定。當（dāng）然若是藍綠等芯片電極（jí）工（gōng）藝還要複雜，需增（zēng）加鈍化（huà）膜生長、等離（lí）子（zǐ）刻蝕工藝等（děng）。

隨著半導體LED技術的發展，其（qí）在照明領域的應用也（yě）越來越多，特別是白光LED的出現，更是成為半導體照明的熱點（diǎn）。但是關鍵的芯片、封裝技術還有待提高，在芯片方麵要（yào）朝大（dà）功率、高光效和降低熱阻方麵（miàn）發展。提高功率意味著芯片的使（shǐ）用電流加大，最直（zhí）接的辦法是（shì）加大芯片尺（chǐ）寸，現在普（pǔ）遍出現（xiàn）的大功率芯片都（dōu）在1mm×1mm左右，使用電流（liú）在350mA。由於使用電（diàn）流的加大，散熱問題成為突出（chū）問題，現在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。隨著LED技術的發展，其在照明領域的（de）應用會麵臨一個前所未有的（de）機遇（yù）和挑戰。