作者:admin 發表時間:2017-02-05 15:52:27 點擊:112
一(yī)、MB 芯片
定義:Metal BONding (金屬粘著)芯片;該芯(xīn)片屬於UEC 的專利產品。
特點:
1:采用高散熱係數的材料---Si 作(zuò)為襯底、散熱容易。
2:通過金(jīn)屬層來接合(wafer bonding)磊晶(jīng)層和襯底,同時反射光子,避免襯底的吸收。
3: 導電(diàn)的Si 襯底取代GaAs 襯底,具備良好的熱傳導能力(導熱(rè)係數(shù)相差3~4 倍),更適應(yīng)於高驅(qū)動電流領域。
4: 底部金屬反射層、有利於光度的提升及散熱(rè)
5: 尺寸(cùn)可加大、應用於(yú)High power 領域、eg : 42mil MB
二、GB芯片
定義:Glue Bonding (粘著結合)芯片;該(gāi)芯片屬於UEC 的專利產品
特點(diǎn):
1:透明的藍寶石(shí)襯底取代吸光的GaAs襯底、其出光功率是傳統AS (Absorbable STructure)芯(xīn)片的2倍以(yǐ)上、藍寶石襯底(dǐ)類似TS芯(xīn)片的GaP襯(chèn)底。
2:芯片四麵發(fā)光、具有出色的Pattern
3:亮度方麵、其整體(tǐ)亮度已超過TS芯片的水準(zhǔn)(8.6mil)
4:雙電極結構、其耐(nài)高電流方麵要稍差(chà)於TS單電極芯片
定義:transparent structure(透明襯底(dǐ))芯片、該芯片屬於HP 的專利(lì)產品。
特點:
1:芯片工藝製作複雜、遠高於AS LED
2:信賴性卓(zhuó)越
3:透明的GaP襯底、不吸收(shōu)光、亮度高
4:應用廣泛
四、AS芯片
定義:Absorbable structure (吸收襯底)芯片;
經過近四十年的發展(zhǎn)努力、台灣LED光電業界對於該類型芯片的研發﹑生產﹑銷售處於成熟的階段、各大公司在(zài)此方麵的研發水平基本處於同一水準、差(chà)距(jù)不(bú)大。
大陸芯片製(zhì)造(zào)業起步較晚、其亮度及可靠(kào)度與(yǔ)台灣業界還有一定(dìng)的差距(jù)、在這(zhè)裏我們所談的AS芯片(piàn)、特指(zhǐ)UEC的AS芯(xīn)片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特點:
1:四元芯片、采用 MOVPE工藝製(zhì)備、亮度相對(duì)於常規芯片(piàn)要亮
2:信(xìn)賴性優良
3:應用廣泛
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